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Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Samsung 990. Capacità SSD: 2 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7250 MB/s, Velocità di scrittura: 6450 MB/s, Componente per: PC
Codice Delta: 135050
Codice Produttore MZ-V9V2T0BW
EAN/Barcode: 8806099020705
  • Produttore
  • Capacità SSD
  • Dimensione SSD
  • NVMe
  • Interfaccia
  • Tipo memoria
  • criptaggio hardware
  • Componente per
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Prezzo
573,01 € 573,01 € (Imposte incluse)
469,68 € (Imposte incluse)

Disponibilità prodotto
4 pezzi disponibili in Magazzino di Milano (ritiro in 5 giorni dall’ordine)

Caratteristiche prodotto

Caratteristiche
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES, TCG Opal 2.0
Capacità SSD2 TB GB
Componente perPC
criptaggio hardwareSì
Dimensione SSDM.2
Dimensioni dell'unità SSD M.22280 (22 x 80 mm)
InterfacciaPCI Express 4.0
Lettura casuale (4KB)850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Expressx4
NVMeSì
Revisione PCI Express CEM4.0
Scrittura casuale (4KB)1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)Sì
Supporto S.M.A.R.T.Sì
Supporto TRIMSì
Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 h h
Tipo memoriaV-NAND
Velocità di lettura7250 MB/s MB/s
Velocità di scrittura6450 MB/s MB/s
Versione di NVMe2.0
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C °C
Shock di funzionamento1500 G G
Dati su imballaggio
Tipo di imballoScatola
Dimensioni e peso
Altezza22,1 mm mm
Larghezza80,2 mm mm
Profondità2,38 mm mm
Gestione energetica
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)3 mW mW
Consumo di energia (in lettura)4,3 W W
Consumo di energia (in scrittura)3,8 W W
Consumo energetico (inattivo)0,055 W W
Tensione di esercizio3,3 V V